[发明专利]有源矩阵有机发光二极管面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，更具体地说，涉及一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制作方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管面板（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED）是目前受到广泛重点关注的一种显示技术，具有自发光、高亮度、高对比度、广视角、响应快、低功耗、轻薄等诸多优点，被称为下一代显示技术。

AMOLED具有由多个像素单元构成的像素阵列，每个所述像素单元均包括有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，简称OLED）和薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）。其中，OLED利用有机半导体材料和发光材料在电场的驱动下，通过载流子注入和复合发光，TFT主要用于驱动OLED进行发光显示。

作为AMOLED的驱动器件，TFT可以为P型或N型，其中，N型TFT的电子迁移率较高，是目前本领域的技术人员研究的重要方向。传统结构的OLED底部为阳极，很难与N型TFT形成良好的集成。相对于传统结构的OLED，反转结构的OLED底部为阴极，顶部为阳极，其阴极可直接与N型TFT的漏端相连接，从而实现OLED与N型TFT更好的集成，使所构成的AMOLED的稳定性提高。

采用反转结构的OLED制作的AMOLED的基本结构如图1所示，包括：由N型TFT构成的TFT阵列基板101；与TFT阵列基板101电性相连的OLED102，所述OLED102为反转结构，从底部至顶部依次包括：阴极1021、电子注入层1022、电子传输层1023、发光层1024、空穴传输层1025、空穴注入层1026和阳极1027；设置于所述阳极1027上的盖板103。其中，所述底部为所述OLED102中靠近所述TFT阵列基板101的区域，所述顶部为所述OLED102中远离所述TFT阵列基板101的区域。

但是，在实际应用过程中发现，采用反转结构的OLED制作的AMOLED的发光效率较低。

发明内容

本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制作方法，以提高有源矩阵有机发光二极管面板的发光效率。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种有源矩阵有机发光二极管面板的制作方法，包括：制备薄膜场效应晶体管阵列基板，所述薄膜场效应晶体管阵列基板包括基板和设置在所述基板表面的多个薄膜场效应晶体管；在所述薄膜场效应晶体管阵列基板表面形成阴极，所述阴极与所述薄膜场效应晶体管的漏极连接；在所述阴极表面形成电子注入层，所述电子注入层包括第一电子注入层和在所述第一电子注入层表面形成的第二电子注入层，其中，所述第一电子注入层的材料为铝，所述第二电子注入层的材料包括氟化锂、氧化锂、8-羟基喹啉锂中的至少一种；在所述第二电子注入层表面形成电子传输层，所述电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝。

优选的，所述第一电子注入层的厚度范围为1nm～20nm，包括端点值。

优选的，所述第二电子注入层的厚度范围为0.1nm～10nm，包括端点值。

优选的，所述阴极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌、氧化锌锡、银、铝、镁中的至少一种。

优选的，当所述阴极的材料为铝时，所述阴极与所述第一电子注入层在同一工艺步骤中形成。

优选的，所述在所述第二电子注入层表面形成电子传输层之后包括：在所述电子传输层表面形成发光层；在所述发光层表面形成空穴传输层；在所述空穴传输层表面形成空穴注入层；在所述空穴注入层表面形成阳极；在所述阳极表面设置盖板进行封装。

优选的，所述在所述第二电子注入层表面形成电子传输层之后，所述在所述电子传输层表面形成发光层之前包括：对所述电子传输层进行退火。

优选的，所述退火的温度范围为50℃～200℃，包括端点值。

优选的，所述退火的时间范围为5min～300min，包括端点值。

优选的，所述空穴注入层的材料包括氧化钼、氧化钨、氧化钛、金、铂中的至少一种。

优选的，所述阳极的材料包括铝、镁、银、铜、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌锡中的至少一种。

优选的，所述薄膜场效应晶体管为N型薄膜场效应晶体管。

优选的，所述薄膜场效应晶体管为N型氧化物薄膜场效应晶体管。