[发明专利]有源矩阵有机发光二极管面板及其制作方法

权利要求书

1.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制作方法，其特征在于，包括：

制备薄膜场效应晶体管阵列基板，所述薄膜场效应晶体管阵列基板包括基板和设置在所述基板表面的多个薄膜场效应晶体管；

在所述薄膜场效应晶体管阵列基板表面形成阴极，所述阴极与所述薄膜场效应晶体管的漏极连接；

在所述阴极表面形成电子注入层，所述电子注入层包括第一电子注入层和在所述第一电子注入层表面形成的第二电子注入层，其中，所述第一电子注入层的材料为铝，所述第二电子注入层的材料包括氟化锂、氧化锂、8-羟基喹啉锂中的至少一种；

在所述第二电子注入层表面形成电子传输层，所述电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一电子注入层的厚度范围为1nm～20nm，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二电子注入层的厚度范围为0.1nm～10nm，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阴极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌、氧化锌锡、银、铝、镁中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，当所述阴极的材料为铝时，所述阴极与所述第一电子注入层在同一工艺步骤中形成。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二电子注入层表面形成电子传输层之后包括：

在所述电子传输层表面形成发光层；

在所述发光层表面形成空穴传输层；

在所述空穴传输层表面形成空穴注入层；

在所述空穴注入层表面形成阳极；

在所述阳极表面设置盖板进行封装。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二电子注入层表面形成电子传输层之后，所述在所述电子传输层表面形成发光层之前包括：对所述电子传输层进行退火。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为50℃～200℃，包括端点值。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述退火的时间范围为5min～300min，包括端点值。

10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括氧化钼、氧化钨、氧化钛、金、铂中的至少一种。

11.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述阳极的材料包括铝、镁、银、铜、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌锡中的至少一种。

12.根据权利要求1～11任一项所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管为N型薄膜场效应晶体管。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管为N型氧化物薄膜场效应晶体管。

14.一种有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，包括：

薄膜场效应晶体管阵列基板，所述薄膜场效应晶体管阵列基板包括基板和设置在所述基板表面的多个薄膜场效应晶体管；

位于所述薄膜场效应晶体管阵列基板表面的阴极，所述阴极与所述薄膜场效应晶体管的漏极连接；

位于所述阴极表面的电子注入层，所述电子注入层包括位于所述阴极表面且与所述阴极相邻的第一电子注入层和位于所述第一电子注入层表面的第二电子注入层，其中，所述第一电子注入层为铝层，所述第二电子注入层的材料包括氟化锂、氧化锂、8-羟基喹啉锂中的至少一种；

位于所述第二电子注入层表面的电子传输层，所述电子传输层为8-羟基喹啉铝层。

15.根据权利要求14所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述第一电子注入层的厚度范围为1nm～20nm，包括端点值。

16.根据权利要求14所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述第二电子注入层的厚度范围为0.1nm～10nm，包括端点值。

17.根据权利要求14所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述阴极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌、氧化锌锡、银、铝、镁中的至少一种。