[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310340603.1 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104347765A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;郝茂盛;齐胜利;邢志刚;袁根如 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，包括步骤：1）于生长衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）去除部分的P型层、量子阱层及N型层形成N电极制备区域以及去除部分P型层、量子阱层及N型层时所形成的侧壁；3）于P型层表面形成第一电流扩展层；4）于第一电流扩展层、侧壁以及N电极制备区域表面形成透明绝缘层，刻蚀该透明绝缘层形成间隔排列的图案化结构；5）于所述第一电流扩展层及所述图案化结构表面、及N电极制备区域表面形成第二电流扩展层；6）制作N电极及P电极。本发明可以有效提高发光二极管的出光效率，从而提高发光二极管的亮度。本发明工艺简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）去除部分的P型层、量子阱层及N型层形成N电极制备区域以及去除部分P型层、量子阱层及N型层时所形成的侧壁；3）于所述P型层表面形成第一电流扩展层；4）于所述第一电流扩展层、侧壁以及N电极制备区域表面形成透明绝缘层，刻蚀所述透明绝缘层形成间隔排列的图案化结构；5）于所述第一电流扩展层及所述图案化结构表面、及N电极制备区域表面形成第二电流扩展层；6）于所述N电极制备区域表面的第二电流扩展层表面制作N电极，于所述第一电流扩展层及图案化结构表面的第二电流扩展层表面制作P电极。
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