[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；

2）去除部分的P型层、量子阱层及N型层形成N电极制备区域以及去除部分P型层、量子阱层及N型层时所形成的侧壁；

3）于所述P型层表面形成第一电流扩展层；

4）于所述第一电流扩展层、侧壁以及N电极制备区域表面形成透明绝缘层，刻蚀所述透明绝缘层形成间隔排列的图案化结构；

5）于所述第一电流扩展层及所述图案化结构表面、及N电极制备区域表面形成第二电流扩展层；

6）于所述N电极制备区域表面的第二电流扩展层表面制作N电极，于所述第一电流扩展层及图案化结构表面的第二电流扩展层表面制作P电极。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述生长衬底为蓝宝石衬底，所述N型层为N-GaN层，所述量子阱层为InGaN/GaN多量子阱层，所述P型层为P-GaN层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述侧壁为与所述N型层表面呈预设角度倾斜的斜面。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤2）中，采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD形成所述透明绝缘层，厚度为120～960nm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述图案化结构为周期性排列的柱形结构或锥形结构。

6.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

生长衬底；

发光外延结构，至少包括依次层叠的N型层、量子阱层及P型层，所述发光外延结构具有去除了部分的P型层、量子阱层及N型层所形成的N电极制备区域以及去除部分P型层、量子阱层及N型层时所形成的侧壁；

第一电流扩展层，结合于所述P型层表面；

图案化结构，由透明绝缘材料形成，结合于所述第一电流扩展层、侧壁以及N电极制备区域表面；

第二电流扩展层，覆盖于所述第一电流扩展层及所述图案化结构表面、以所述N电极制备区域表面；

N电极，形成于所述N电极制备区域表面的第二电流扩展层表面，以及P电极，形成于所述第一电流扩展层及所述图案化结构表面的第二电流扩展层表面。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述生长衬底为蓝宝石衬底，所述N型层为N-GaN层，所述量子阱层为InGaN/GaN多量子阱层，所述P型层为P-GaN层。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述侧壁为与所述N型层表面呈预设角度倾斜的斜面。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述图案化结构为周期性排列的柱形结构或锥形结构。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述图案化结构的高度为120～960nm。