[发明专利]具有被限制的处理室的多电极等离子体处理系统和与该电极的内部连接的电连接有效
申请号: | 201310337212.4 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN103474327A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 托马斯·V·博尔登二世;路易斯·费耶罗;詹姆士·D·格蒂 | 申请(专利权)人: | 诺信公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/50;H05H1/24 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 沈同全;车文 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 具有被限制的处理室的多电极等离子体处理系统和与该电极的内部连接的电连接。用于利用从源气体产生的等离子体处理产品的设备。所述设备包括真空室、在所述真空室内布置成邻近的对的多个并置电极、和与所述电极电联接的等离子体激励源。所述设备可包括导电构件,所述导电构件延伸到每个电极的内部中以形成与所述等离子体激励源的对应的电连接。所述设备可包括气体分配歧管和与所述气体分配歧管联接的多个气体输送管。每个气体输送管具有喷射端口,所述喷射端口构造成在电极的每个邻近的对之间喷射所述源气体。所述设备还可包括流限制构件,所述流限制构件用于部分阻塞电极的每个邻近的对之间的周边间隙,这限制所述源气体漏出电极的每个邻近的对之间的处理室。 | ||
搜索关键词: | 具有 限制 处理 电极 等离子体 系统 内部 连接 | ||
【主权项】:
一种用于利用从源气体产生的等离子体处理产品的设备,所述设备包括:真空室,所述真空室包括可抽空的空间和与所述可抽空的空间连通的泵端口;在所述可抽空的空间中的多个电极,所述电极并置布置成多个邻近的对,所述电极的所述邻近的对中的每一对分开间隙(G)以限定多个处理室中的对应的一个处理室,并且所述电极中的每一个电极包括外周界;在所述真空室内部的多个气体输送管,所述气体输送管中的每一个气体输送管包括喷射端口,所述喷射端口构造成用于将所述源气体喷射到所述处理室中的对应的一个处理室中,并且所述喷射端口位于所述外周界内部;与所述电极联接的等离子体激励源,所述等离子体激励源构造成用于对所述电极施加电力,以在所述处理室中的每一个处理室中从所述源气体产生所述等离子体;和多个流限制构件,所述流限制构件中的每一个流限制构件位于所述电极的所述邻近的对中的对应的一对之间的所述间隙(G)中,并且所述流限制构件中的每一个流限制构件操作成以便限制所述源气体离开所述处理室中的每一个处理室流到所述泵端口,其中,所述邻近的对中的每一对中的所述电极的一个电极具有第一表面,所述邻近的对中的每一对中的所述电极的另一个电极具有面对所述第一表面的第二表面,并且所述产品中的至少一个产品被定位在所述第一表面和第二表面之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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