[发明专利]具有被限制的处理室的多电极等离子体处理系统和与该电极的内部连接的电连接有效
申请号: | 201310337212.4 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN103474327A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 托马斯·V·博尔登二世;路易斯·费耶罗;詹姆士·D·格蒂 | 申请(专利权)人: | 诺信公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/50;H05H1/24 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 沈同全;车文 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 限制 处理 电极 等离子体 系统 内部 连接 | ||
本申请是申请日为2009年5月20日、申请号为200910141105.8且发明名称为“具有被限制的处理室的多电极等离子体处理系统和与该电极的内部连接的电连接”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明总体涉及等离子体处理,并且具体涉及用于以提高的均匀性处理衬底的等离子体处理系统和方法。
背景技术
等离子体处理频繁用于修改衬底的表面性质,该衬底用于各种应用,包括但不限于集成电路、电子封装和印刷电路板。具体来说,等离子体处理可用于电子封装,例如,以腐蚀树脂、去除钻污、增加表面活化和/或表面清洁度以便消除脱层和粘结失效、改善导线粘结强度、保证附连到印刷电路板的芯片的无空隙不填满、从表面去除氧化物,提高裸芯片附连、并且改善用于芯片封装的粘合。
在常规等离子体处理系统中,多个衬底放置在真空室内,真空室被抽空并且填充有部分压力的源气体,在真空室内产生由部分电离的源气体组成的等离子体,并且每个衬底的表面暴露到等离子体粒子。通过物理溅射、化学辅助的溅射、和由等离子体促进的化学反应,从每个衬底去除最外表面层的原子。物理或化学作用可用于调节表面以改善诸如粘合的性质,以选择性地去除多余的表面层,或从衬底的表面清除不希望的污染物。
在多电极等离子体处理系统中,材料的多个面板的两侧在分批处 理中同时被等离子体处理。衬底保持器在一对平面竖直电极之间以竖直取向保持每个面板,该电极通过存在于处理系统的处理室中的合适的大气提供能量以产生等离子体。每个平面竖直电极和面板的邻近的表面之间的环境提供存在部分电离的源气体的局部处理室。
在印刷电路板的制造期间,在各个制造阶段,等离子体处理可用于处理面板。在一种应用中,等离子体用于去除残留聚合物树脂形式的钻污,该钻污通过机械钻削过程沿着通孔和过孔的壁伸展。如果保留原样,钻污可干涉诸如化学铜镀的镀处理,所述镀处理用于形成建立印刷电路板的电连接的金属化。等离子体也可以用于活化用于印刷电路板的聚合物的表面以增加施加到通孔和过孔的壁的镀覆金属化的可湿性和层合。等离子体在在印刷电路板上形成细距金属化线图案时也可用于去除光刻胶残余,以及用于制备诸如聚酰亚胺的柔性材料的内层以便金属化。等离子体也可用于去除当印刷电路板被激光钻孔以形成盲过孔时引起的炭残余。
使用多电极等离子体处理系统被等离子体处理的面板可以相当大。例如,面板可以具有宽度为大约26英寸和长度为大约32英寸的特征的矩形周界。常规处理系统实现的跨越每个板的整个表面区域的处理均匀性虽然适用于它们的预定目的,但随着技术进步增加印刷电路板上的互连的密度,可能是不足的。另一挑战是在每个不同处理室中均匀处理面板。
虽然常规等离子体处理系统已经适用于它们的预定目的,但需要一种等离子体处理系统,该等离子体处理系统能够在每个印刷电路板的整个表面区域上以及在任何单次处理的许多板中在被处理的多个印刷电路板之中改善处理的均匀性。
发明内容
在一个实施例中,提供一种设备,用于利用从源气体产生的等离 子体处理产品。所述设备包括真空室,所述真空室具有可抽空的空间、与所述可抽空的空间连通的泵端口、和构造成用于将源气体引入所述可抽空的空间的至少一个气体端口。多个电极位于所述可抽空的空间中。所述电极具有并置布置以在可抽空的空间中限定多个处理室。每个电极包括外周界。等离子体激励源构造成对所述电极施加电力以致在所述处理室的每一个中从所述源气体产生所述等离子体。所述设备还包括多个导电构件。所述导电构件的每一个将所述电极的对应的一个与等离子体激励源电联接。所述导电构件的每一个与位于所述外周界的内部的位置的所述电极的对应的一个电连接。
在另一个实施例中,提供一种设备,用于利用从源气体产生的等离子体处理产品。该设备包括真空室,该真空室具有可抽空的空间和与该可抽空的空间连通的泵端口。定位在可抽空的空间中的多个电极,所述电极并置布置成多个邻近的对以在可抽空的空间中限定多个处理室。电极的邻近的对的每一对分开一定间隙以限定处理室的对应的一个。电极的每一个包括外周界。多个气体输送管设置在真空室内部。气体输送管的每一个包括喷射端口,该喷射端口构造成将源气体喷射到所述电极的外周界内部的处理室的对应的一个中。等离子体激励源与所述电极电联接。等离子体激励源构造成对所述电极施加电力以致在所述处理室的每一个中从所述源气体产生所述等离子体。所述设备还包括多个流限制构件。流限制构件的每一个位于所述电极的邻近的对的对应的一对之间的间隙中。每个流限制构件用于减小所述间隙以便约束源气体离开处理室的每一个流到泵端口。
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