[发明专利]具有被限制的处理室的多电极等离子体处理系统和与该电极的内部连接的电连接有效
申请号: | 201310337212.4 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN103474327A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 托马斯·V·博尔登二世;路易斯·费耶罗;詹姆士·D·格蒂 | 申请(专利权)人: | 诺信公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/50;H05H1/24 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 沈同全;车文 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 限制 处理 电极 等离子体 系统 内部 连接 | ||
1.一种用于利用从源气体产生的等离子体处理产品的设备,所述设备包括:
真空室,所述真空室包括可抽空的空间和与所述可抽空的空间连通的泵端口;
在所述可抽空的空间中的多个电极,所述电极并置布置成多个邻近的对,所述电极的所述邻近的对中的每一对分开间隙(G)以限定多个处理室中的对应的一个处理室,并且所述电极中的每一个电极包括外周界;
在所述真空室内部的多个气体输送管,所述气体输送管中的每一个气体输送管包括喷射端口,所述喷射端口构造成用于将所述源气体喷射到所述处理室中的对应的一个处理室中,并且所述喷射端口位于所述外周界内部;
与所述电极联接的等离子体激励源,所述等离子体激励源构造成用于对所述电极施加电力,以在所述处理室中的每一个处理室中从所述源气体产生所述等离子体;和
多个流限制构件,所述流限制构件中的每一个流限制构件位于所述电极的所述邻近的对中的对应的一对之间的所述间隙(G)中,并且所述流限制构件中的每一个流限制构件操作成以便限制所述源气体离开所述处理室中的每一个处理室流到所述泵端口,
其中,所述邻近的对中的每一对中的所述电极的一个电极具有第一表面,所述邻近的对中的每一对中的所述电极的另一个电极具有面对所述第一表面的第二表面,并且所述产品中的至少一个产品被定位在所述第一表面和第二表面之间。
2.根据权利要求1所述的设备,还包括:
托架,所述托架包括多个产品保持器,并且构造成用于将所述产品保持在所述处理室中,所述产品保持器中的每一个产品保持器构造成用于保持所述产品中的所述至少一个产品,并且所述流限制构件中的每一个流限制构件与所述产品保持器中的对应的一个产品保持器物理联接。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述托架包括底板,所述底板设置在所述产品保持器和所述泵端口之间,所述底板相对于所述处理室定位成使得所述源气体被约束成绕着所述底板沿周界流出所述处理室中的每一个处理室以到达所述泵端口。
4.根据权利要求2所述的设备,其中所述流限制构件中的每一个流限制构件包括框架,所述框架具有设置在所述间隙的一部分中的杆,且所述杆具有小于所述间隙的宽度。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述流限制构件中的每一个流限制构件包括设置在所述间隙中的杆,所述产品保持器中的每一个产品保持器包括构造成支撑所述产品中的至少一个产品的多个横向构件,并且所述杆位于所述横向构件中的至少一个横向构件和所述邻近的对中的每个电极的所述外周界之间。
6.根据权利要求2所述的设备,其中所述流限制构件中的每一个流限制构件包括:框架,所述框架具有布置在所述间隙中的杆;和将所述杆与底板连接的多个连接构件,并且所述杆位于所述邻近的对中的每个电极的所述外周界内。
7.根据权利要求1所述的设备,还包括:
气体分配歧管,所述气体分配歧管位于所述真空室内且连接成与所述气体输送管流体连通。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述气体分配歧管包括通道,所述气体输送管中的每一个气体输送管连接成与所述通道连通,并且所述设备还包括:
质量流控制器,所述质量流控制器构造成用于调整被输送到所述气体分配歧管的所述通道的所述源气体的质量流率。
9.根据权利要求8所述的设备,其中所述电极沿一系列平行平面取向,并且所述气体分配歧管的所述通道近似垂直于所述一系列平行平面排列。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述气体输送管中的每一个气体输送管包括相对彼此成角度的多个管状部分。
11.根据权利要求1所述的设备,其中所述电极中的每一个电极的几何中心在所述外周界内部,并且所述气体输送管中的每一个气体输送管的所述喷射端口位于距所述电极中的所述对应的一个电极的所述几何中心半英寸的范围内。
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