[发明专利]CMOS器件制造方法及CMOS器件

摘要

本发明提供一种CMOS器件制造方法及CMOS器件。该方法包括提供半导体衬底；向半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿半导体衬底的埋层，埋层距离半导体衬底的顶面第一距离；在半导体衬底的顶面上形成场氧区，场氧区的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且场氧区的底面延伸至所述埋层的底面；在第一有源区和第二有源区内分别形成栅极；在所述第一有源区内、且栅极的两侧分别形成第一源极，在第二有源区内、且在栅极两侧分别形成第二源极，第一源极和第二源极的底面位于埋层的上方。本方法制造出的CMOS器件，可避免出现场氧区漏电，且还能防止出现闩锁效应。

主权项

一种CMOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；向所述半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿所述半导体衬底的埋层，所述埋层距离所述半导体衬底的顶面第一距离；在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，所述场氧区的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面；在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极，所述栅极与所述场氧区之间具有间隙；在所述第一有源区内、且在位于所述第一有源区内的栅极的两侧分别形成第一源极，在所述第二有源区内、且在所述第二有源区内的栅极两侧分别形成第二源极，其中所述第一源极和第二源极的底面位于所述埋层的上方；其中，所述在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，包括：在所述半导体衬底的顶面上依次形成垫氧层和保护层，所述保护层覆盖在所述垫氧层上；光刻、刻蚀所述保护层形成第一区块和第二区块，所述第一区块和第二区块之间形成场氧区沟槽；在所述垫氧层下方进行离子注入，以分别对应第一区块和第二区块形成第一阱区和第二阱区；氧化所述场氧区沟槽，形成所述场氧区；去除所述第一区块和第二区块；所述半导体衬底为P型半导体衬底，所述第一有源区为P型有源区，所述第二有源区为N型有源区；在所述去除所述第一区块和第二区块之后，还包括：在所述垫氧层下注入硼离子以调节阈值；在所述第二区上覆盖光刻胶，以在所述第一有源区内、所述垫氧下方注入硼离子。