[发明专利]CMOS器件制造方法及CMOS器件

权利要求书

1.一种CMOS器件制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

向所述半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿所述半导体衬底的埋层，所述埋层距离所述半导体衬底的顶面第一距离；

在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，所述场氧区的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面；

在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极，所述栅极与所述场氧区之间具有间隙；

在所述第一有源区内、且在位于所述第一有源区内的栅极的两侧分别形成第一源极，在所述第二有源区内、且在所述第二有源区内的栅极两侧分别形成第二源极，其中所述第一源极和第二源极的底面位于所述埋层的上方；

其中，所述在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，包括：在所述半导体衬底的顶面上依次形成垫氧层和保护层，所述保护层覆盖在所述垫氧层上；光刻、刻蚀所述保护层形成第一区块和第二区块，所述第一区块和第二区块之间形成场氧区沟槽；在所述垫氧层下方进行离子注入，以分别对应第一区块和第二区块形成第一阱区和第二阱区；氧化所述场氧区沟槽，形成所述场氧区；去除所述第一区块和第二区块；所述半导体衬底为P型半导体衬底，所述第一有源区为P型有源区，所述第二有源区为N型有源区；

在所述去除所述第一区块和第二区块之后，还包括：在所述垫氧层下注入硼离子以调节阈值；在所述第二区上覆盖光刻胶，以在所述第一有源区内、所述垫氧下方注入硼离子。

2.根据权利要求1所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极，包括：

去除所述垫氧层；

在所述第一有源区、第二有源区及场氧区上生长出栅极氧化层；

在所述栅极氧化层上沉淀形成多晶硅层；

光刻、刻蚀所述多晶硅层和栅极氧化层，以形成所述栅极。

3.根据权利要求1或2所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一有源区内、且在位于所述第一有源区内的栅极的两侧分别形成第一源极，在所述第二有源区内、且在所述第二有源区内的栅极两侧分别形成第二源极，包括：

对所述第一有源区和第二有源区进行轻掺杂离子注入，以在所述栅极的两侧下方分别形成位于所述半导体衬底内的第一轻掺杂区；

形成覆盖所述第一有源区的第一光刻胶层；

以所述第一光刻胶层和栅极为掩膜，对第二有源区进行轻掺杂离子注入，以将第二有源区内的栅极两侧的第一轻掺杂区转化为第二轻掺杂区；

去除所述第一光刻胶层；

在所述半导体衬底上、且在所述栅极的两侧分析形成用于保护所述栅极的侧墙；

形成覆盖所述第二有源区的第二光刻胶侧层；

以所述第二光刻胶层和栅极为掩膜，对第一有源区进行离子注入，以在所述第一轻掺杂区内形成所述第一源极；

去除所述第二光刻胶层；

形成覆盖所述第一有源区的第三光刻胶层；

以所述第三光刻胶层和栅极为掩膜，对第二有源区进行离子注入，以在所述第二轻掺杂区内形成所述第二源极；

去除所述第三光刻胶层。