[发明专利]CMOS器件制造方法及CMOS器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种CMOS制造方法及CMOS器件。

背景技术

互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)是现代半导体集成电路技术的基础，组成数字集成电路的最基本单元。CMOS是NMOS晶体管和PMOS晶体管的一种有机组合，构成逻辑器件，其优点在于仅有逻辑状态转换时，才会产生大电流，而在稳定的逻辑状态下，只有极小的电流通过，因此能够大幅减小逻辑电路的功耗。

图1为现有技术中CMOS的部分结构示意图；如图1所示，CMOS中需要通过场氧区10将PMOS和NMOS隔离开来，由于多晶硅高阻或者PIP电容，或者多晶硅走线等原因，加工和的CMOS的场氧区上常滞留有多晶硅11，而当在多晶硅11施加电压时，在场氧层10下面就会有漏电，即，场氧区10与N源区12和P漏区13构成一个MOS管，其中场氧区10即为该MOS管中的栅氧，而漏电现象的存在则会直接影响CMOS的工作性能。

发明内容

针对现有技术中的上述缺陷，本发明提供一种CMOS器件制造方法及CMOS器件，以有效防止制造出CMOS发生漏电现象，有效保证了CMOS的工作性能。

本发明提供一种CMOS器件制造方法，包括：

提供半导体衬底；

向所述半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿所述半导体衬底的埋层，所述埋层距离所述半导体衬底的顶面第一距离；

在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，所述场氧区的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面；

在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极，所述栅极与所述场氧区之间具有间隙；

在所述第一有源区内、且在位于所述第一有源区内的栅极的两侧分别形成第一源极，在所述第二有源区内、且在所述第二有源区内的栅极两侧分别形成第二源极，其中所述第一源极和第二源极的底面位于所述埋层的上方。

本发明还提供一种CMOS器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底的顶面上形成有场氧区，以及分别位于所述场氧区两侧的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区的掺杂类型相反；所述第一源区内和第二源区内还分别形成有栅极，所述第一源区内还形成有位于栅极两侧的第一源极，所述第二源区内还形成有位于栅极两侧的第二源极，所述半导体衬底内、且距离所述半导体衬底顶面第一距离处还形成有绝缘的埋层，所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面，所述第一源极和第二源极均位于所述埋层上方。

本发明提供的CMOS制造方法及CMOS器件，可以通过埋层的设置最终在半导体衬底中形成一个绝缘层，有效防止场氧区下方出现漏电，该绝缘层的存在还可以避免阱区与衬底结产生寄生的N-P-N-P结构，从而避免出现闩锁效应。

附图说明

图1为现有技术中CMOS的部分结构示意图；

图2为本发明CMOS器件制造方法实施例一的流程图；

图3为本发明CMOS器件制造方法实施例二中形成埋层后的结构示意图；

图4为本发明CMOS器件制造方法实施例二中形成垫氧层和保护层后的结构示意图；

图5为本发明CMOS器件制造方法实施例二中垫氧层和保护层经光刻、刻蚀后的结构示意图；

图6为本发明CMOS器件制造方法实施例二中N、P型阱区均形成后的结构示意图；

图7为本发明CMOS器件制造方法实施例二中形成场氧区后的结构示意图；

图8为本发明CMOS器件制造方法实施例二中形成栅极后的结构示意图；

图9为本发明CMOS器件制造方法实施例二中形成第一轻掺杂区后的结构示意图；

图10为本发明CMOS器件制造方法实施例二中形成第二轻掺杂区后的结构示意图；

图11为本发明CMOS器件制造方法实施例二中在栅极上形成侧墙后的结构示意图；

图12为本发明CMOS器件制造方法实施例二形成的CMOS器件的结构示意图。

具体实施方式

实施例一

图2为本发明CMOS器件制造方法实施例一的流程图；如图1所述，本实施例提供一种CMOS器件制造方法，包括：

S201、提供半导体衬底；该半导体衬底可以为N型或P型半导体衬底。