[发明专利]低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310331698.0 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104341144A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈仁政;宋蓓蓓;程华容;杨喻钦;杨魁勇 | 申请（专利权）人： | 北京元六鸿远电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C04B35/63 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 戴凤仪 |
| 地址： | 102600 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术领域，包括主料、副料、改性添加剂和烧结助剂，所述主料是CaMgSi2O6；所述的副料是BaZrO3；所述改性添加剂是MnO、Al2O3、Co3O4、ZnO中的一种或几种；所述的烧结助剂是Li2O、CaO、MgO、SiO2、B2O3中的一种或几种，其中，主料50～58wt%、副料21～26wt%、改性添加剂3～8wt%、烧结助剂12～22wt%。本发明提供一种低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法，有效提高品质因素，使得陶瓷能够在较低温度烧结下，保持良好介电性能的同时，拥有稳定的温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 c0g 特性 微波 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温烧结C0G特性微波介质材料，包括主料、副料、改性添加剂和烧结助剂，其特征在于，所述主料是CaMgSi2O6；所述的副料是BaZrO3；所述改性添加剂是MnO、Al2O3、Co3O4、ZnO中的一种或几种；所述的烧结助剂是Li2O、CaO、MgO、SiO2、B2O3中的一种或几种，其中，主料50～58wt%、副料21～26wt%、改性添加剂3～8wt%、烧结助剂12～22wt%。
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