[发明专利]功率半导体器件的测试结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310330631.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367330A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的测试结构，用于监测体注入和源极注入后的功率半导体器件的性能，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的沟槽；形成于所述半导体衬底上的体注入区；形成于所述体注入区内的多个源极注入区和多个接触孔；形成于所述接触孔上的金属层；其中，所述源极注入区与所述接触孔间隔设置。在本发明提供的功率半导体器件的测试结构及其制造方法中，多个源极注入区和多个接触孔间隔设置，作为接触电极的金属层通过接触孔与所述体注入区导通，能够模拟出实际的功率半导体器件的寄生效应，同时，通过源极注入区两侧的接触电极可以准确测量夹层电阻（Rpinch)以监测体注入和源极注入后的功率半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 测试 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的测试结构，用于监测体注入和源极注入后的功率半导体器件的性能，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的沟槽；形成于所述半导体衬底上的体注入区；形成于所述体注入区内的多个源极注入区和多个接触孔；形成于所述接触孔上的金属层；其中，所述源极注入区与所述接触孔间隔设置。
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