[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的鳍形状及其形成方法在审
| 申请号： | 201310329355.0 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104051266A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 林志忠;林志翰;张铭庆;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了鳍式场效应晶体管（finFET）和形成方法。在一个或多个鳍上方形成栅电极。在栅电极的端部中沿着栅电极的基底形成沟槽。可选地，可以使诸如浅沟道隔离件的下面的介电层凹进到沟槽下方，从而减少间隙填充问题。本发明还提供了用于鳍式场效应晶体管的鳍形状及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 形状 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成鳍式场效应晶体管（finFET）的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有从其延伸的鳍；在相邻鳍之间形成第一介电层；在所述鳍和所述介电层上方形成栅电极层；以及将所述栅电极层图案化为多个栅电极，其中，所述多个栅电极的端部具有沿底部边缘的沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310329355.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
