[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的鳍形状及其形成方法

权利要求书

1.一种形成鳍式场效应晶体管（finFET）的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底具有从其延伸的鳍；

在相邻鳍之间形成第一介电层；

在所述鳍和所述介电层上方形成栅电极层；以及

将所述栅电极层图案化为多个栅电极，其中，所述多个栅电极的端部具有沿底部边缘的沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述多个栅电极的所述沟槽下方的所述介电层中形成凹口。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，利用CHF₃、CH₃F、CF₄、CH₂F₂、SF₆或O₂的工艺气体，至少部分地使用干蚀刻来形成所述凹口。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，利用HF、NH₃或H₂O的工艺气体以及N的载气，至少部分地使用干蚀刻来形成所述凹口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个栅电极中的两个栅电极端部与端部对齐，并且所述方法进一步包括在所述两个栅电极的所述沟槽的下方形成凹口。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：在凹进的所述两个栅电极之间的所述介电层中形成所述凹口，使得所述两个栅电极的所述沟槽下方的所述凹口形成从一个沟槽下方延伸到另一沟槽下方的单个连续凹口。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，至少部分地使用干蚀刻工艺形成所述多个栅电极中的所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述干蚀刻工艺利用CHF₃、CF₄、CH₂F₂、SF₆或O₂的工艺气体。

9.一种形成鳍式场效应晶体管（finFET）的方法，所述方法包括：

提供具有横向对齐的至少两个鳍的衬底；

在所述两个鳍的端部之间形成第一介电层；

至少在第一鳍上方形成第一栅电极并且至少在第二鳍上方形成第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极的纵轴对齐；

在所述第一栅电极的朝向所述第二栅电极的端部中形成第一沟槽；以及

在所述第二栅电极的朝向所述第一栅电极的端部中形成第二沟槽。

10.一种鳍式场效应晶体管（finFET），包括：

鳍，远离衬底延伸；

介电层，紧邻所述鳍；以及

栅电极，形成在所述鳍和所述介电层上方，其中，所述栅电极的端部在所述栅电极和所述介电层的界面处具有沟槽。