[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

形成在衬底上的第一半导体层；

形成在所述第一半导体层上的第二半导体层和第三半导体层；

形成在所述第三半导体层上的第四半导体层；

形成在所述第四半导体层上的栅电极；以及

形成为与所述第二半导体层接触的源电极和漏电极，其中

所述第三半导体层和所述第四半导体层形成在所述栅电极正下方的区域中；

所述第四半导体层由p型半导体材料形成；以及

所述第二半导体层和所述第三半导体层由AlGaN形成，并且所述第三半导体层具有比所述第二半导体层的Al组成比低的Al组成比。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第三半导体层的厚度小于或等于所述第二半导体层的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述第一半导体层由包含GaN的材料形成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：

形成在所述第二半导体层下方的第五半导体层，所述第五半导体层通过如下方式形成：移除所述第一半导体层的一部分，然后在已经从其移除所述第一半导体层的所述部分的区域中再生长包含GaN的材料。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述第三半导体层由表示为Al_yGa_1-yN的材料形成，其中y的值满足0≤y≤0.2。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述第三半导体层形成为具有大于或等于8nm且小于或等于12nm的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：

形成在所述第二半导体层上的盖层，所述盖层由包含n型GaN的材料形成。

8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述第四半导体层由包含GaN的材料形成。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中

在所述第四半导体层中掺杂有Mg。

10.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

在所述第二半导体层和所述第三半导体层中掺杂有Si。

11.一种电源装置，包括：

根据权利要求1或2所述的半导体器件。

12.一种放大器，包括：

根据权利要求1或2所述的半导体器件。

13.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上依次层叠第一半导体层和第二半导体层；

通过移除所述第二半导体层和所述第一半导体层的在待形成栅电极的区域正下方的部分，形成开口部分；

在所述开口部分处露出的所述第一半导体层上依次层叠第五半导体层、第三半导体层以及第四半导体层；

在所述第四半导体层上形成所述栅电极；以及

形成与所述第二半导体层接触的源电极和漏电极，其中

所述第四半导体层由p型半导体材料形成，

所述第一半导体层和所述第五半导体层由相同材料形成，以及

所述第二半导体层和所述第三半导体层由AlGaN形成，并且所述第三半导体层具有比所述第二半导体层的Al组成比低的Al组成比。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

通过MOVPE(金属有机气相外延)形成所述第五半导体层、所述第三半导体层以及所述第四半导体层。

15.根据权利要求13或14所述的方法，还包括：

将在所述第五半导体层和所述第三半导体层之间的界面形成为具有与在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的界面的高度相同的高度。