[发明专利]互连装置和方法在审
| 申请号： | 201310322579.9 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104051423A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 林政贤;蔡纾婷;杨敦年;刘人诚;洪丰基;周世培;高敏峰;陈思莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供互连装置和方法，其中，该方法包括：将第一芯片接合在第二芯片上；在第一芯片的非接合面上方沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上方沉积第二硬掩模层；将第二硬掩模层用作第一蚀刻掩模来蚀刻第一半导体芯片的第一衬底；以及将第一硬掩模层用作第二蚀刻掩模来蚀刻第一芯片和第二芯片的IMD层。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底、多个第一金属间介电层和多条第一金属线，所述多条第一金属线在所述第一衬底上方形成在所述第一金属间介电层中；第二半导体芯片，接合在所述第一半导体芯片上，所述第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二金属间介电层和多条第二金属线，所述多条第二金属线在所述第二衬底上方形成在所述第二金属间介电层中；以及导电插塞，连接在所述第一金属线和所述第二金属线之间，其中，所述导电插塞包括：第一部分，形成在所述第一半导体芯片内所形成的硬掩模层的第一面的上方，所述第一部分具有第一宽度，并且所述导电插塞的第一部分通过第一介电层与所述第一金属间介电层和所述第二金属间介电层隔离；和第二部分，形成在所述硬掩模层的第二面的上方，所述第二部分具有的第二宽度大于或等于所述第一宽度，并且所述导电插塞的第二部分通过第二介电层与所述第一金属间介电层隔离。
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