[发明专利]半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201310302799.5 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103368074A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 有源 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器有源区，其特征在于：所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1‑m‑nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1‑x‑yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0。
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