[发明专利]可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物、基座配方及其发光二极管元件有效
| 申请号： | 201310295920.6 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103408945A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 戈颂;黄智伟 | 申请（专利权）人： | 永信新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L83/07 | 分类号： | C08L83/07;C08L83/05;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，包含有：(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷、(B)含硅氢键的聚硅氧烷、(C)含保护机能填料组合、及(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂，其中该保护机能填料组合可选择为一高导热材料、一阻燃剂、一耐老化材料、一抗紫外线材料、一阻气材料、一热膨胀抑制材料及/或一耐高温材料，可使用于发光二极管元件的底座、灯杯及/或封装体的材料配方，以有效提升发光二极管元件的使用寿命及稳定性者。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 发光二极管 元件 聚硅氧烷 组合 基座 配方 及其 | ||
【主权项】：
一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其特征在于，包含有：(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷，其整体平均组成如结构式(1)所示：R1nSiO(4‑n)/2 (1)；(B)含硅氢键的聚硅氧烷，其整体平均组成如结构式(2)所示：R3aHbSiO(4‑a‑b)/2 (2)；(C)含保护机能填料组合；及(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂。
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