[发明专利]可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物、基座配方及其发光二极管元件

权利要求书

1.一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其特征在于，包含有：

(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷，其整体平均组成如结构式(1)所示：

R¹_nSiO_(4-n)/2    (1)；

(B)含硅氢键的聚硅氧烷，其整体平均组成如结构式(2)所示：

R³_aH_bSiO_(4-a-b)/2    (2)；

(C)含保护机能填料组合；及

(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂。

2.根据权利要求1所述的聚硅氧烷组合物，其特征在于，该组成(A)的结构式(1)中的ｎ的范围为1至2。

3.根据权利要求1所述的聚硅氧烷组合物，其特征在于，该保护机能填料组合选择为一高导热材料、一阻燃剂、一耐老化材料、一抗紫外线材料、一耐高温材料、一阻气材料、一热膨胀抑制材料及其组合式的其中之一者。

4.根据权利要求3所述的聚硅氧烷组合物，其特征在于，该保护机能填料组合选择为一氮化硅、一碳化硅、一氢氧化铝、一有机氯化物、一有机溴化物、一赤磷、一磷酸酯、一卤代磷酸酯、一氮系阻燃剂、一有机卤单体、一有机磷单体、一二氧化硅、一金属氧化物、一碳酸钙、一纳米碳管、一纳米碳纤、一石墨烯、一氮化硼、一金属氮化物、一碳纤维、一石墨、一钻石、一碳、一陶瓷、一纳米云母、一反钙钛矿结构氮锰化合物及其组合式的其中之一者。

5.根据权利要求1所述的聚硅氧烷组合物，其特征在于，该(B)含硅氢基的聚硅氧烷为一含硅氢基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷，且该(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷含量为1至99重量％，(B)含硅氢基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷含量为1至40重量％，(C)含保护机能填料组合为1至90重量％，及(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂含量为有效的催化量至多500重量ppm，以整体聚硅氧烷重量为基准。

6.根据权利要求5所述的聚硅氧烷组合物，其特征在于，该(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂含量以1至50ppm为较佳。

7.根据权利要求1所述的聚硅氧烷组合物，其特征在于，该(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂可选择为一铂系催化剂、一钯系催化剂或一铑系催化剂。

8.一种可应用于发光二极管元件的基座配方，其特征在于，该基座配方包含有权利要求1至7中任一项所述的聚硅氧烷组合物。

9.一种发光二极管元件，包含有一基座，其特征在于，该基座为具备权利要求1至7中任一项所述的聚硅氧烷组合物所制成者。

10.根据权利要求9所述的发光二极管元件，其特征在于，该基座包括有一底座、一灯杯或一底座/灯杯。

11.根据权利要求9所述的发光二极管元件，其特征在于，还包括有一封装体，该封装体为使用权利要求1至7中任一项的聚硅氧烷组合物所制成者。