[发明专利]可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物、基座配方及其发光二极管元件

说明书

技术领域

本发明有关于一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，可应用于发光二极管元件的底座、灯杯及/或封装体的材料配方。 

背景技术

在发光二极管元件(LED；light emitting diode)发展上，已有众多业界或学者针对LED的材质特性而开发出可有效提升LED元件使用稳定度或使用寿命的制造材质。例如台湾专利案第I373478号「硬化性树脂组成物、LED封装及其制造方法、以及光半导体」、美国专利案US7,615,387号「Addition curing silicone composition capable of producing a cured product with excellent crack resistance」及美国专利案第7,705,104号「Addition curable silicon resin composition for light emitting diode」。 

而先前的材料研发一般都锁定在LED的封装体，鲜少有针对LED元件的基座、底座及/或灯杯来进行材料的开发。惟，由于LED封装体的新材料中常使用到硅氧烷系材料，但硅氧烷系材料通常又很难与其它系材料有良好的粘接。 

且，由于LED元件的封装体与基座经常使用不同材料，其冷热收缩率大不相同，因此，现有的底座或灯杯配方在高温、高湿的环境下容易因为粘接不牢靠或收缩率不一致而发生构件脱离或裂胶等问题，严重影响到LED元件的使用稳定度及使用寿命。 

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物、基座配方及其发光二极管元件，可以改善现有LED元件在使用材料配 方上的缺点，进而可提升LED元件的使用稳定度及使用寿命。 

为此，本发明提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，包含有：(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷，其整体平均组成如结构式(1)所示：R¹_nSiO_(4-n)/2(1)；(B)含硅氢键的聚硅氧烷，其整体平均组成如结构式(2)所示：R³_aH_bSiO_(4-a-b)/2(2)；(C)含保护机能填料组合；及(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂。 

本发明一实施例中，提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其中该组成(A)的结构式(1)中的ｎ的范围为1至2。 

本发明一实施例中，提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其中该保护机能填料组合可选择为一高导热材料、一阻燃剂、一耐老化材料、一抗紫外线材料、一耐高温材料、一阻气材料、一热膨胀抑制材料(Thermal Expansion Inhibitor)及其组合式的其中之一者。 

本发明一实施例中，提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其中该保护机能填料组合可选择为一氧化铝、一氧化铬、一氮化硅、一碳化硅、一氢氧化铝、一氧化锌、一氧化钛、一有机氯化物、一有机溴化物、一赤磷、一磷酸酯、一卤代磷酸酯、一氮系阻燃剂、一有机卤单体、一有机磷单体、一二氧化硅、一金属氧化物、一碳酸钙、一纳米碳管(Carbon Nanotube)、一纳米碳纤(Nano Fiber)、一石墨烯(Graphene)、一氮化硼、一金属氮化物、一碳纤维、一石墨、一钻石、一碳、一陶瓷、一纳米云母(Nano Mica)、一反钙钛矿结构氮锰化合物(Anti-Perovskite Structure Mn3XN(X=Ge、Zn、Sn、Cu、Ge))或其组合式的其中之一者。 

本发明一实施例中，提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其中该(B)含硅氢基的聚硅氧烷系为一含硅氢基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷，且该(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷含量为1至99重量％，(B)含硅氢基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷含量为1至40重量％，(C)含保护机能填料组合为1至90重量％，及(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂含量为有效的催化量至多500重量ppm，以整体聚硅氧烷重量为基准。 

本发明一实施例中，提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其中该(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂含量以1至50ppm为较佳。 

本发明一实施例中，提供一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，其中该(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂系可选择为一铂系催化剂、一钯系 催化剂或一铑系催化剂。