[发明专利]一种β－碳化硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310293452.9 | 申请日： | 2013-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103346073A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 边继明;张志坤;毕凯峰;刘艳红;刘维峰;秦福文 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 徐淑东 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种β－碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，然后将其在惰性气体下进行后续退火处理，完成β－碳化硅薄膜的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
