[发明专利]二次复位电路及复位方法有效
申请号: | 201310280444.0 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103391076A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 袁海滨;张克功;邵宗有;沙超群;郑臣明;王晖 | 申请(专利权)人: | 曙光信息产业股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 北京新知远方知识产权代理事务所(普通合伙) 11397 | 代理人: | 马军芳 |
地址: | 300384 天津市西青区华*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供了一种芯片的二次复位电路及方法,通过将复位电路设计为复位脉冲具有两个信号边沿的上电二次复位电路以避免一次复位对芯片失效而使芯片不能正常工作的情况发生。本发明不仅能实现二次复位,而且还能灵活地适应于不同芯片的个性化要求。 | ||
搜索关键词: | 二次 复位 电路 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片的二次复位电路,其包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、三极管(Q1)以及场效应管(Q2),其特征在于:第二电阻(R2)、第一电容(C1)和第二电容(C2)的一端分别与第一电阻(R1)的一端相连接,而它们的另一端与三极管(Q1)的发射极相连接并接地,第一电阻(R1)的另一端与芯片的Core电压线相连接;三极管(Q1)的基极与第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)和第二电容(C2)的所述一端相连接,三极管(Q1)的集电极与场效应管(Q2)的栅极相连接,并且三极管(Q1)的发射极与场效应管(Q2)的源极相连接;第三电容(C3)的一端与场效应管(Q2)的栅极相连接,另一端与场效应管(Q2)的源极相连接;第三电阻(R3)的一端与三极管(Q1)的集电极相连接,另一端与第四电阻(R4)串联并连接至场效应管(Q2)的漏极;芯片的I/O电压线连接至第三电阻(R3)和第四电阻(R4)之间,并且场效应管(Q2)的漏极经第五电阻(R5)与Reset信号线连接。
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