[发明专利]二次复位电路及复位方法

权利要求书

1.一种芯片的二次复位电路，其包括第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、第三电容（C3）、三极管（Q1）以及场效应管（Q2），其特征在于：

第二电阻（R2）、第一电容（C1）和第二电容（C2）的一端分别与第一电阻（R1）的一端相连接，而它们的另一端与三极管（Q1）的发射极相连接并接地，第一电阻（R1）的另一端与芯片的Core电压线相连接；

三极管（Q1）的基极与第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第一电容（C1）和第二电容（C2）的所述一端相连接，三极管（Q1）的集电极与场效应管（Q2）的栅极相连接，并且三极管（Q1）的发射极与场效应管（Q2）的源极相连接；

第三电容（C3）的一端与场效应管（Q2）的栅极相连接，另一端与场效应管（Q2）的源极相连接；

第三电阻（R3）的一端与三极管（Q1）的集电极相连接，另一端与第四电阻（R4）串联并连接至场效应管（Q2）的漏极；

芯片的I/O电压线连接至第三电阻（R3）和第四电阻（R4）之间，并且场效应管（Q2）的漏极经第五电阻（R5）与Reset信号线连接。

2.如权利要求1所述的二次复位电路，其特征在于，第一电容（C1）和第二电容（C2）由一个等值的电容替换。

3.如权利要求1或2所述的二次复位电路，其特征在于，第三电容（C3）由多个等值的电容替换。

4.一种使用如权利要求1至3中任一所述的二次复位电路来复位芯片的方法，其包括:

（1）在CORE电压上电瞬间T0时刻，三极管（Q1）的基极电压V1处于低电平，场效应管（Q2）的栅极电压V2处于低电平，场效应管（Q2）的漏极电压V3处于高电平，此后第一电阻（R1）、第一电容（C1）和第二电容（C2）组成的RC电路开始充电，第二电容（C2）两端电压开始上升，同时第三电阻（R3）和第三电容（C3）也开始充电；

（2）在T1时刻，第三电容（C3）两端电压将场效应管（Q2）导通，此时V1两端电压仍不能使三极管（Q1）导通，V1维持处于低电平，V2变化为高电平，V3变化为低电平；

（3）在T2时刻，第二电容（C2）两端电压将三极管（Q1）导通，V1变化为高电平，V2变化为低电平，V3变化为高电平，T2之后的时间里V3一直维持处于高电平。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通过调节第一电容（C1）、第二电容（C2）和第三电容（C3）来调节T1时刻和T2时刻。