[发明专利]二次复位电路及复位方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片的二次复位电路及复位方法。

背景技术

一般地，芯片都需要一个上电复位电路在上电瞬间复位芯片，来完成芯片上电瞬间的初始化。上电复位电路最常见的就是RC充电电路。上电后，电容C两端电压需要充电一段时间T后才能被芯片判决为高电平，在T之前C两端电压被判决为低电平，芯片处于复位状态，把这次复位称为一次复位。一般情况下，芯片在一次复位后便进入工作状态，不会用到二次复位。但是有的芯片会对复位信号要求比较特殊，例如，要求在复位信号下降沿进入复位状态，在复位信号上升沿释放复位状态。由于一次复位是没有下降沿的，因此一次复位会失效。而二次复位的复位信号有下降沿，因此必须二次复位才能进入复位状态。

而且，不同的芯片可能对复位信号的脉冲要求不一样，而上电瞬间复位信号电平都是从低到高的变化。此种复位信号可能对某些芯片会失效，当芯片本身出现个体性的bug时，这种复位也会失效。

目前，如果出现一次复位不成功的情况，通常需要手动复位来完成复位。

因此，本领域一直期望提供一种芯片的二次复位电路，其不仅能实现二次复位，而且还能灵活地适应于不同芯片的个性化要求。

发明内容

本发明提供了一种芯片的二次复位电路及复位方法，其不仅能实现二次复位，而且还能灵活地适应于不同芯片的个性化要求。

根据本发明的一个方面，提供了一种芯片的二次复位电路，其包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第三电容、三极管以及场效应管，其特征在于：

第二电阻、第一电容和第二电容的一端分别与第一电阻的一端相连接，而它们的另一端与三极管的发射极相连接并接地，第一电阻的另一端与芯片的Core电压线相连接；

三极管的基极与第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容的所述一端相连接，三极管的集电极与场效应管的栅极相连接，并且三极管的发射极与场效应管的源极相连接；

第三电容的一端与场效应管的栅极相连接，另一端与场效应管的源极相连接；

第三电阻的一端与三极管的集电极相连接，另一端与第四电阻串联并连接至场效应管的漏极；

芯片的I/O电压线连接至第三电阻和第四电阻之间，并且场效应管的漏极经第五电阻与Reset信号线连接。

可选地，第一电容和第二电容可由一个等值的电容替换。

可选地，第三电容可由多个等值的电容替换。

根据本发明的另一个方面，提供了一种使用上述二次复位电路来复位芯片的方法，其包括:

（1）在CORE电压上电瞬间T0时刻，三极管的基极电压V1处于低电平，场效应管的栅极电压V2处于低电平，场效应管的漏极电压V3处于高电平，此后第一电阻、第一电容和第二电容组成的RC电路开始充电，第二电容两端电压开始上升，同时第三电阻和第三电容也开始充电；

（2）在T1时刻，第三电容两端电压将场效应管导通，此时V1两端电压仍不能使三极管导通，V1维持处于低电平，V2变化为高电平，V3变化为低电平；

（3）在T2时刻，第二电容两端电压将三极管导通，V1变化为高电平，V2变化为低电平，V3变化为高电平，T2之后的时间里V3一直维持处于高电平。

可选地，通过调节第一电容、第二电容和第三电容来调节T1时刻和T2时刻。

根据本发明的二次复位电路能实现对芯片的二次复位，并且还能灵活地适应于不同芯片的具体需求，使之能适用于不同芯片。

附图说明

图1是根据本发明的二次复位电路的电路图；

图2是根据本发明的二次复位电路的电压信号示意图；

图3是根据本发明的二次复位电路的二次复位信号波形图。

具体实施方式

为了使本发明的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。

本发明的二次复位电路的复位脉冲跟手动复位脉冲一样，有两个信号边沿。在复位电路中设计一个上电二次复位电路可以避免一次复位对芯片失效而使芯片不能正常工作的情况发生。