[发明专利]半导体器件和用于产生掺杂半导体层的方法在审
| 申请号： | 201310273728.7 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531613A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;F.卡尔曼;A.毛德;G.米勒;H-J.舒尔策;H.施特拉克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L21/22;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和用于产生掺杂半导体层的方法。一种半导体器件包括器件区。该器件区包括至少一个器件区区段，其包括第一掺杂类型且具有至少1E16cm-3的第一掺杂浓度的掺杂剂原子和第二掺杂类型且具有至少1E16cm-3的第二掺杂浓度的掺杂剂原子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 产生 掺杂 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种包括器件区的半导体器件，该器件区包括至少一个器件区区段，其包括第一掺杂类型且具有至少1E16 cm‑3的第一掺杂浓度的掺杂剂原子和第二掺杂类型且具有至少1E16 cm‑3的第二掺杂浓度的掺杂剂原子。
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