[发明专利]半导体器件和用于产生掺杂半导体层的方法

权利要求书

1.一种包括器件区的半导体器件，该器件区包括至少一个器件区区段，其包括第一掺杂类型且具有至少1E16 cm^-3的第一掺杂浓度的掺杂剂原子和第二掺杂类型且具有至少1E16 cm^-3的第二掺杂浓度的掺杂剂原子。

2.权利要求1的半导体器件，其中，至少一个器件区区段具有第一和第二掺杂类型中的一个的有效掺杂浓度。

3.权利要求2的半导体器件，其中，有效掺杂浓度在1E13 cm^-3 与 1E16 cm^-3之间, 或在 5E13 cm^-3 与 5E15 cm^-3之间。

4.权利要求1的半导体器件，

其中，第一掺杂浓度为至少1E17 cm^-3，以及

其中，第二掺杂浓度为至少1E17 cm^-3。

5.权利要求1的半导体器件，其中，第一掺杂类型的掺杂剂原子包括磷、氮、硅、砷或锑中的至少一个。

6.权利要求1的半导体器件，其中，第二掺杂类型的掺杂剂原子包括硼、镓、铟、钙、锌、铍、镁和铝中的至少一个。

7.权利要求1的半导体器件，

其中，第一掺杂类型的掺杂剂原子包括磷原子，以及

其中，第二掺杂类型的掺杂剂原子包括硼原子。

8.权利要求1的半导体器件，还在器件区中包括至少一个应力引发半导体层。

9.权利要求8的半导体器件，其中，器件区包括硅（Si），并且其中，所述应力引发层包括硅-锗（SiGe）。

10.权利要求1的半导体器件，其中，半导体器件被实现为MOS晶体管，并且其中，器件区是漂移区。

11.权利要求1的半导体器件，其中，半导体器件被实现为双极二极管，并且其中，器件区是基区。

12.权利要求1的半导体器件，其中，半导体器件被实现为肖特基二极管，并且其中，器件区是漂移区。

13.权利要求1的半导体器件，其中，器件区包括pn结。

14.权利要求13的半导体器件，其中，pn结是MOS晶体管的主体区与漂移区之间的pn结。

15.权利要求13的半导体器件，其中，pn结是二极管的发射区与基区之间的pn结。

16.权利要求1的半导体器件，其中，器件区毗邻电介质层。

17.权利要求16的半导体器件，其中，电介质层是MOS晶体管中的栅极电介质或场电极电介质。

18.权利要求1的半导体器件，其中，器件区是在放大栅极结构的两个放大栅极之间的闸流晶体管的p型基区中实现的。

19.一种产生半导体器件的方法，该方法包括：

i. 提供半导体衬底；

ii. 在半导体衬底上形成外延层；以及

iii. 向外延层中引入第一掺杂类型的掺杂剂原子和第二掺杂类型的掺杂剂原子。

20.权利要求19的方法，还包括：

iv. 重复方法步骤i.至iii.至少一次，从而形成至少两个外延层，其中，在方法步骤i.至iii.的每次重复中，在已经在前一方法步骤ii中产生的外延上形成步骤ii.中的外延层。

21.权利要求19的方法，其中，在方法步骤iii.中，引入以预定义比包括第一掺杂类型的掺杂剂原子和第二掺杂类型的掺杂剂原子的分子。

22.权利要求21的方法，其中，预定义比是1:1。

23.权利要求19的方法，其中，在方法步骤iii.中，在外延层的晶体生长期间和外延层的晶体生长之后中的至少一个引入掺杂剂原子。

24.权利要求23的方法，其中，在外延晶体生长之后向外延层中引入掺杂剂原子包括注入过程和扩散过程中的至少一个。

25.权利要求19的方法，其中，用第一和第二掺杂类型的一个的基本掺杂来产生外延层。