[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310272064.2 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104282656B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、致密低k介电层和多孔低k介电层；在致密低k介电层中形成铜金属互连结构的通孔部分，且在多孔低k介电层中形成铜金属互连结构的沟槽部分；对所述铜金属互连结构实施等离子体处理，以在所述通孔部分的侧壁以及沟槽部分的侧壁和底部形成氮化硅覆盖层；在铜金属互连结构中形成铜金属层。根据本发明，可以进一步抑制所述铜金属层中的铜的扩散行为，进而改善半导体器件的电迁移特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、致密低k介电层和多孔低k介电层；b)在所述致密低k介电层中形成铜金属互连结构的通孔部分，且在所述多孔低k介电层中形成铜金属互连结构的沟槽部分，所述通孔部分的侧壁和所述沟槽部分的底部相交接的位置呈拐角圆化状。
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