[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明涉及半导体存储装置。该半导体存储装置具备存储单元阵列，其具有多条位线、与所述多条位线交叉的多条字线和设置于所述多条位线及多条字线的交叉部的存储单元；以及控制部，其对施加于位线及字线的电压进行控制。控制部在对于多个存储单元连续进行预定的工作的情况下，在选择从多条位线中选择的第1位线及从多条字线中选择的第1字线而对于第1存储单元进行了第1工作之后，在与该第1工作接续的接下来的第2工作中，选择与第1位线不同的第2位线及与第1字线不同的第2字线而选择第2存储单元。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，具备：存储单元阵列，其具有以层叠方向为长度方向而延伸且在与所述层叠方向相交叉的第1方向及第2方向排列的多条位线、在所述第1方向延伸且在所述层叠方向层叠的多条字线和设置于所述多条位线及多条字线的交叉部的存储单元；以及控制部，其对施加于所述位线及字线的电压进行控制；每个存储单元包括可变电阻元件；所述控制部在对于多个所述存储单元进行第1工作和接下来的第2工作的情况下，在从所述多条位线中选择第1位线及从所述多条字线中选择第1字线而对于第1存储单元进行了所述第1工作之后，在与该所述第1工作接续的接下来的所述第2工作中，选择第2位线和第2字线，所述第2位线位于相对于第1位线在所述第1方向和所述第2方向上呈对角线的方向，所述第2字线位于相对于第1字线在所述层叠方向相邻且在所述第2方向相邻。