[发明专利]一种深紫外发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310268722.0 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103346232A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 黄凯;陈雪;康俊勇;高娜;杨旭 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列，在n-AlGaN层上设有n型电极，在p-GaN盖层上设有p型电极。在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种深紫外发光二极管，其特征在于设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n‑AlGaN层、有源层、p‑AlGaN层和p‑GaN盖层，在p‑GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列，在n‑AlGaN层上设有n型电极，在p‑GaN盖层上设有p型电极。
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