[发明专利]集成层积磁性器件及其制造方法有效
申请号: | 201310265561.X | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103681598B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | B·C·韦布 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/64;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及集成层积磁性器件及其制造方法。提供了一种具有层积磁性‑绝缘体叠层结构的半导体集成磁性器件,诸如电感器、变压器等,其中,该层积磁性‑绝缘体叠层结构是用电镀技术来形成的。例如,该集成层积磁性器件包括多层叠层结构,其具有在衬底上形成的交替的磁性和绝缘层,其中,多层叠层结构中的每个磁性层通过绝缘层与多层叠层结构中的另一磁性层分离,以及局部短接结构,其将多层叠层结构中的每个磁性层电连接到多层叠层结构中下伏磁性层,以使用叠层中的下伏导电层(磁性或种子层)作为用于叠层结构中的每个电镀的磁性层的电阴极/阳极来促进磁性层的电镀。 | ||
搜索关键词: | 集成 层积 磁性 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成层积磁性器件,包括:多层叠层结构,包含在衬底上形成的交替的磁性和绝缘层,其中,所述多层叠层结构中的每个磁性层通过绝缘层与所述多层叠层结构中的另一磁性层分离;以及局部短接结构,将所述多层叠层结构中的每个磁性层电连接到所述多层叠层结构中的下伏磁性层,所述局部短接结构包括穿过所述绝缘层中的开口而形成的导电插塞,以连接由所述绝缘层分离的两个磁性层。
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