[发明专利]背钝化太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201310261117.0 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN103367540A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 徐卓;杨学良;杨德成;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 071051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种背钝化太阳能电池的制作方法,在硅片制备完减反射膜后,首先形成具有镂空图案的背面场,再形成背钝化层,之后形成正电极,通过使背面场先于背钝化层形成,减少了激光开槽的步骤,避免了激光开槽对硅片的损伤;背面场为镂空结构,与背钝化层的接触面积减少,减轻了背面场对背钝化层的侵蚀程度,使背钝化层能够很好地发挥钝化作用,减少了电池背面的载流子复合,这些最终均能提高背钝化太阳能电池的转换效率。由于不需要进行激光开槽,所以简化了生产工艺;背面场为镂空结构,减少了制作背面场所需材料的用量,降低了生产成本;镂空结构的背面场能够减少由于硅铝膨胀系数差别导致的应力弯曲,降低了由电池弯曲引起的电池破碎。 | ||
搜索关键词: | 钝化 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种背钝化太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:提供硅片,所述硅片包括硅片基体、覆盖在所述硅片基体正面的掺杂层、及覆盖在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧表面上的减反射层;在所述硅片基体的背面形成背面场,烘干所述背面场,所述背面场具有镂空图案;在所述背面场背离所述硅片基体的一侧形成背钝化层,所述背钝化层覆盖所述背面场和所述硅片基体的背面;在所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上形成背电极,烘干所述背电极;在所述减反射层背离所述硅片基体一侧的表面上形成正电极,烘干所述正电极;对烘干完所述正电极的硅片进行烧结,完成所述背钝化太阳能电池的制作。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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