[发明专利]背钝化太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种背钝化太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅片，所述硅片包括硅片基体、覆盖在所述硅片基体正面的掺杂层、及覆盖在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧表面上的减反射层；

在所述硅片基体的背面形成背面场，烘干所述背面场，所述背面场具有镂空图案；

在所述背面场背离所述硅片基体的一侧形成背钝化层，所述背钝化层覆盖所述背面场和所述硅片基体的背面；

在所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上形成背电极，烘干所述背电极；

在所述减反射层背离所述硅片基体一侧的表面上形成正电极，烘干所述正电极；

对烘干完所述正电极的硅片进行烧结，完成所述背钝化太阳能电池的制作。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述镂空图案为栅状图案、花纹图案、折线图案或曲线图案。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述镂空图案均匀分布于所述硅片基体的背面。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背钝化层的厚度范围为1nm～100nm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背钝化层为单层结构或叠层结构。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背钝化层的形成材料为介电材料。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述背钝化层的形成材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背钝化层的形成材料为本征半导体材料。

9.一种背钝化太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1～8任一项所述的制作方法制作，所述背钝化太阳能电池包括：

硅片基体，覆盖在所述硅片基体正面的掺杂层，覆盖在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧表面上的减反射层；

位于所述硅片基体背面的背面场，所述背面场具有镂空图案；

位于所述背面场背离所述硅片基体一侧的背钝化层，所述背钝化层覆盖所述背面场和所述硅片基体的背面；

位于所述背钝化层背离所述硅片基体一侧表面上的背电极；

位于所述减反射层背离所述硅片基体一侧表面上的正电极。

10.根据权利要求9所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述镂空图案为栅状图案、花纹图案、折线图案或曲线图案。

11.根据权利要求10所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述镂空图案均匀分布于所述硅片基体的背面。

12.根据权利要求10所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述背钝化层的厚度范围为1nm～100nm，包括端点值。

13.根据权利要求10所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述背钝化层为单层结构或叠层结构。