[发明专利]半导体光调制器无效
| 申请号： | 201310252050.4 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103777377A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高木和久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种射出激光的形状为单峰的半导体光调制器。本发明的电场吸收型的半导体光调制器具备n型InP基板（2）、n型InP覆盖层（3）、透明波导层（4）、n型InP覆盖层（5）、光吸收层（6）、p型InP覆盖层（7）。由于光的吸收区域存在于在光波导中传播的光分布的端部，所以，不会破坏光分布（15）的单峰性，能够实现光的消光动作。因此，得到射出的激光（14）的形状保持为单峰的光调制器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制器 | ||
【主权项】：
一种半导体光调制器，其特征在于，具备：第一导电型的基板，在第一主面形成有第一电极；以及在所述基板的第二主面从所述基板侧依次叠层的第一导电型的第一覆盖层、透明波导层、第一导电型的第二覆盖层、光吸收层以及第二导电型的第三覆盖层，所述半导体光调制器具有：在所述层叠方向将从所述第三覆盖层到所述第二覆盖层的中途除去而形成的脊部；形成于所述脊部上部并且与所述第三覆盖层连接的第二电极。
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