[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310244432.2 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103515505A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明涉及第III族氮化物半导体器件及其制造方法。具体地，本发明提供了一种表现出提高的光提取效率的第III族氮化物半导体发光器件。AlGaN半导体层形成为与p-GaN p接触层接触并且形成在p-GaN p接触层上，并且ITO透明电极形成为与半导体层接触并且形成在半导体层上。半导体层包含具有10摩尔％至50摩尔％的Al组成比的AlGaN，并且具有 |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种第III族氮化物半导体发光器件，所述第III族氮化物半导体发光器件具有在p接触层上的透明电极，所述透明电极由在发射波长下折射率比所述p接触层的折射率低的材料制成，所述第III族氮化物半导体发光器件包括：半导体层，所述半导体层形成为与所述p接触层和所述透明电极接触并且形成在所述p接触层与所述透明电极之间，所述半导体层由在所述发射波长下折射率比所述p接触层的折射率低且比所述透明电极的折射率高的任意含Al的第III族氮化物半导体制成；以及其中所述半导体层具有相对于总的第III族原子的摩尔数为10摩尔％至50摩尔％的Al组成比，以及一个分子层至![]()
的厚度。
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