[发明专利]半导体装置

摘要

本发明希望解决的课题在于提供一种能够使沟槽间的耗尽层形成变得容易的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电类型的漂移层、在所述漂移层上设置的第2导电类型的基极层、在所述基极层上设置的第1导电类型的源极层、多个沟槽、与所述基极层邻接且隔着第1绝缘膜设置于所述沟槽内的栅电极、以及在所述沟槽内在所述栅电极之下隔着具有比所述第1绝缘膜高的介电常数的第2绝缘膜而被设置的场板电极。

主权项

一种半导体装置，具有：第1导电类型的漏极层；第1导电类型的漂移层，设置于所述漏极层上；第2导电类型的基极层，设置于所述漂移层上；第1导电类型的源极层，选择性地设置于所述基极层的表面；多个沟槽，设置为从所述源极层的表面到达至所述漂移层；栅电极，与所述基极层邻接，隔着第1绝缘膜设置于所述沟槽内；场板电极，在所述沟槽内，在所述栅电极之下隔着具有比所述第1绝缘膜高的介电常数的第2绝缘膜而被设置；漏电极，与所述漏极层连接；以及源电极，与所述基极层以及所述源极层连接。