[发明专利]半导体存储器器件和存储器基元电压施加方法有效

专利信息
申请号: 201310217179.1 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN103310837A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 井上裕文 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 贺月娇;杨晓光
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储器器件包括:多个平行的字线;多个平行的位线,其被形成为与所述多个字线相交;以及多个存储器基元,其被设置在所述字线与所述位线的交叉处。每一个存储器基元使其一端连接到所述字线而另一端连接到所述位线。所述器件还包括驱动电路,其操作为跨过所述字线和所述位线选择性地施加用于数据读取/写入的电压。所述器件还包括读出放大器电路,其被连接到所述多个位线并操作为读取/写入在所述存储器基元中存储的数据。所述器件还包括位线驱动辅助电路,其操作为基于由所述读出放大器电路从所述存储器基元读出的数据而选择性地调整所述多个位线上的电势。
搜索关键词: 半导体 存储器 器件 电压 施加 方法
【主权项】:
一种半导体存储器器件,包括:多个平行的字线;多个平行的位线,其被形成为与所述多个字线相交;多个存储器基元,其被设置在所述字线与所述位线的交叉处,每一个存储器基元的一端连接到所述多个字线中的一个而另一端连接到所述多个位线中的一个;控制电路,其操作为执行读取操作和写入操作,其中所述控制电路被配置为从所述存储器基元中的一个存储器基元读出数据,如果读出的所述数据为第一电平,所述控制电路将第一电压施加到所述多个平行的位线中的一个位线,且如果读出的所述数据为第二电平,所述控制电路将基于所述存储器基元的物理地址而产生的第二电压施加到所述位线。
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