[发明专利]静电放电强度输入输出驱动电路有效
| 申请号： | 201310205629.5 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456721A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟;林盈彰 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明揭示一种静电放电强度输入输出驱动电路。具体实施例包括：提供有第一源极、第一漏极及第一栅极的第一NMOS晶体管；使该第一源极耦合至接地导轨，以及该第一漏极耦合至输入/输出焊垫；提供栅极驱动控制电路，其包含有第二源极、第二漏极及第二栅极的第二NMOS晶体管；以及使该第二漏极耦合至该第一栅极，该第二源极耦合至该接地导轨，其中在出现于由该输入/输出焊垫至该接地导轨的ESD事件期间，该栅极驱动控制电路提供接地电位给该第一栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 强度 输入输出 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种电路，其包含：第一NMOS晶体管，其具有第一源极、第一漏极及第一栅极，其中，该第一源极耦合至接地导轨，以及该第一漏极耦合至输入/输出焊垫；以及栅极驱动控制电路，其包含具有第二源极、第二漏极及第二栅极的第二NMOS晶体管，其中，该第二漏极耦合至该第一栅极，该第二源极耦合至该接地导轨，以及在出现于由该输入/输出焊垫至该接地导轨的ESD事件期间，该栅极驱动控制电路提供接地电位至该第一栅极。
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