[发明专利]带有中断区域的感性元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310205001.5 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103474419B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | E·迪迷尔坎;T·F·麦克内勒 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件结构包括具有第一导电类型和上表面的半导体衬底。多个第一掺杂区域以棋盘形状排列位于所述上表面下的第一深度处。所述第一掺杂区域是个第二导电类型。电介质层位于所述上表面上。感性元件位于所述电介质层上，其中所述感性元件位于所述第一掺杂区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 中断 区域 感性 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，具有第一导电类型和上表面；多个第一掺杂区域，位于所述上表面下的第一深度处，以棋盘方式排列，其中所述多个第一掺杂区域具有第二导电类型，以及其中所述多个第一掺杂区域在所述衬底中在所述第一深度处定义了多个第一区域，据此所述衬底中的多个第一区域具有棋盘图案，其中所述多个第一区域中的每一个第一区域位于所述多个第一掺杂区域中的相邻的第一掺杂区域之间；多个第二掺杂区域，以棋盘方式排列，其中所述多个第二掺杂区域具有所述第二导电类型以及位于所述衬底中的所述多个第一区域上且位于所述衬底中的所述多个第一区域的正上方；电介质层，位于所述上表面上；以及感性元件，位于所述电介质层上，其中所述感性元件位于所述多个第一掺杂区域上。
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