[发明专利]一种NOR型闪存存储单元的制造方法

摘要

本发明公开了一种NOR型闪存存储单元的制造方法，包含在有源区上形成包含控制栅层的预备蚀刻层；对预备蚀刻层进行第一蚀刻，再沉积控制栅保护层，并对控制栅保护层进行第二蚀刻以露出有源区表面；在经过第二蚀刻后的凹槽中填充连线导电材料；进行第三蚀刻去除有源区的浅沟道绝缘层上方预定位置的连线导电材料；在预定位置填充层间电介质（ILD）材料。本发明的NOR型闪存存储单元的制造方法通过先填充连线导电材料，然后蚀刻去掉预定的导电材料，再填充ILD材料，减少了对连线和控制栅之间的控制栅/浮栅保护层（FG/CG spacer）造成的损害，可以保证较高的CT‑CG击穿电压，在芯片的运行过程中不容易击穿。

主权项

一种NOR型闪存存储单元的制造方法，包含：在有源区上形成包含控制栅层的预备蚀刻层；对所述预备蚀刻层进行第一蚀刻，再沉积控制栅保护层，并对所述控制栅保护层进行第二蚀刻以露出所述有源区表面；在经过所述第二蚀刻后的凹槽中填充连线导电材料；进行第三蚀刻去除所述有源区的浅沟道绝缘层上方预定位置的连线导电材料；在所述预定位置填充层间电介质材料。