[发明专利]一种NOR型闪存存储单元的制造方法

权利要求书

1.一种NOR型闪存存储单元的制造方法，包含：

在有源区上形成包含控制栅层的预备蚀刻层；

对所述预备蚀刻层进行第一蚀刻，再沉积控制栅保护层，并对所述控制栅保护层进行第二蚀刻以露出所述有源区表面；

在经过所述第二蚀刻后的凹槽中填充连线导电材料；

进行第三蚀刻去除所述有源区的浅沟道绝缘层上方预定位置的连线导电材料；

在所述预定位置填充层间电介质材料。

2.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，所述预备蚀刻层包含隧穿介质层、浮栅层、栅间介质层、控制栅层和控制栅覆盖层。

3.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，所述第一蚀刻和所述第二蚀刻均采用干刻法进行蚀刻。

4.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，利用所述控制栅层和所述控制栅保护层作为辅助，进行第三蚀刻去除所述有源区的浅沟道绝缘层上方预定位置的连线导电材料。

5.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，在填充连线导电材料之后，通过化学机械平坦化去除上表面的连线导电材料。

6.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，在填充层间电介质材料后，进行化学机械平坦化。

7.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，所述控制栅保护层为一层，为含氧化硅或氮化硅的材料。

8.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，所述控制栅保护层包含第一层和第二层，所述第一层为一种含氧化硅或氮化硅的材料，所述第二层为另外一种含氧化硅或氮化硅的材料。

9.根据权利要求1所述的NOR型闪存存储单元的制造方法，所述层间电介质材料为K值≤3.9的材料或含氧化硅的材料。