[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件

摘要

本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

主权项

一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于所述基板上用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层包括：覆盖所述基板的一部分的覆盖区域及位于所述覆盖区域的内部且不覆盖所述基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长于所述开口区域的Ge层及结晶生长于所述Ge层上的功能层，其中，在所述Ge层与所述功能层之间，还具有以500℃以下的温度形成的GaAs层，所述功能层为3‑5族化合物层，作为3族元素，包括从由Al、Ga及In构成的组中选择的1种以上的元素，作为5族元素，包括从由N、P、As及Sb构成的组中选择的1种以上的元素。