[发明专利]半导体层叠板和垂直腔面发射激光器

摘要

一种半导体层叠板包括半导体分布布拉格反射镜(DBR)形成于基底上的半导体分布布拉格反射镜(DBR)、通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成于半导体DBR上的谐振器层。每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和形成于为在多量子阱层的每一个表面上各有一个的两个分隔层。多量子阱层通过交替层叠阻挡层和量子阱层形成。形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，和从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Egm-1，满足Egm-1＜Egm，其中n和m均为大于等于2的整数，且1＜m≤n。

主权项

一种半导体层叠板，包括：半导体分布布拉格反射镜(DBR)，其形成在基底上；以及谐振器层，其通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成在半导体分布布拉格反射镜上，其中每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和两个分隔层，所述多量子阱层的每个表面上形成一个分隔层，其中所述多量子阱层通过交替层叠势垒层和量子阱层形成，其中形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，以及从基底数第m‑1层宽能带半导体层的能隙Egm‑1满足Egm‑1＜Egm，其中n和m均为大于或等于2的整数，且1＜m≤n。