[发明专利]半导体层叠板和垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种半导体层叠板，包括：

半导体分布布拉格反射镜(DBR)，其形成在基底上；以及

谐振器层，其通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成在半导体分布布拉格反射镜上，

其中每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和两个分隔层，所述多量子阱层的每个表面上形成一个分隔层，

其中所述多量子阱层通过交替层叠势垒层和量子阱层形成，

其中形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Eg_m，以及从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Eg_m-1满足Eg_m-1＜Eg_m，其中n和m均为大于或等于2的整数，且1＜m≤n。

2.根据权利要求1所述的半导体层叠板，

其中所述宽能带半导体层由包含磷化铟铝镓的材料形成，第m层宽能带半导体层的铝的成分比例X_m和第m-1层宽能带半导体层的铝的成分比例X_m-1满足X_m-1＜X_m。

3.根据权利要求1所述的半导体层叠板，

其中所述宽能带半导体层由包含砷磷化铝镓铟的材料形成，第m层宽能带半导体层的铝的成分比例X_m和第m-1层宽能带半导体层的铝的成分比例X_m-1满足X_m-1＜X_m。

4.根据权利要求2或3所述的半导体层叠板，

其中如果所述宽能带半导体层由包含磷化铟铝镓的材料形成，则所述宽能带半导体层具有规定成分的铟和磷，而如果所述宽能带半导体层由包含砷磷化铝镓铟的材料形成，则所述宽能带半导体层具有规定成分的铟、磷和砷。

5.根据权利要求1到4所述的半导体层叠板，

其中如果所述量子阱层具有压缩畸变，则所述宽能带半导体层具有拉伸畸变，而如果所述量子阱层具有拉伸畸变，则所述宽能带半导体层具有压缩畸变。

6.根据权利要求1到5所述的半导体层叠板，

其中从基底数起的第1层到第n-1层宽能带半导体层中的每一个，其中心都位于驻波的节点处，

其中从基底数起的第n层宽能带半导体层的一个附着于有源层上的表面位于所述驻波的节点处，且其另一个表面位于所述驻波的波腹点上。

7.根据权利要求1到6所述的半导体层叠板，

其中所述分隔层由砷化镓形成。

8.根据权利要求1到7所述的半导体层叠板，

其中第m-1层和第m层宽能带半导体层之间的间距比第m层和第m+1层宽能带半导体层之间的间距宽。

9.一种垂直腔面发射激光器，包括：

根据权利要求1到8所述的半导体层叠板；

布置在所述谐振器层上的外部反射镜；以及

激发光源，来自其的比所述谐振器层发射出的光线波长更短的光线照射到所述谐振器层上。

10.一种垂直腔面发射激光器，包括：

根据权利要求1到8所述的半导体层叠板；以及

上层半导体分布布拉格反射镜，其形成于谐振器层上，

其中半导体层叠板上的半导体分布布拉格反射镜是下层半导体分布布拉格反射镜，

其中通过注入电流到谐振器层中而发射激光。