[发明专利]制造氮化镓基半导体发光器件的方法无效
| 申请号： | 201310170557.5 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103426984A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 吕寅准;金玄永;宋尚烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造氮化镓（GaN）基半导体发光器件的方法。在衬底上形成发光结构，并且该发光结构包括n型半导体层、有源层以及由包含镓（Ga）的氮化物半导体形成的p型半导体层。在p型半导体层上沉积金属层，并进行热处理，以形成镓-金属化合物。去除在p型半导体层上形成的镓-金属化合物。在已去除了镓-金属化合物的p型半导体层的上表面上沉积电极。镓-金属化合物的形成包括在p型半导体层的表面中形成镓空位。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造氮化镓基半导体发光器件的方法，所述方法包括步骤：在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括n型半导体层、有源层以及由包含镓的氮化物半导体形成的p型半导体层；在所述p型半导体层上形成金属层；在所述金属层上进行热处理，以形成镓‑金属化合物；去除在所述p型半导体层上形成的镓‑金属化合物；以及在已经去除了所述镓‑金属化合物的p型半导体层的上表面上形成电极，其中形成所述镓‑金属化合物的步骤包括通过所述p型半导体层的镓与所述金属层之间的反应来在所述p型半导体层的表面中形成镓空位。
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