[发明专利]相移空白掩模及其制造方法有效
申请号: | 201310163203.8 | 申请日: | 2013-04-25 |
公开(公告)号: | CN103376641A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 南基守;姜亘远;金东建;张种沅;崔珉箕 | 申请(专利权)人: | 株式会社S&S技术 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/46;G03F1/56 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 韩国大邱广*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种相移空白掩模,其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此,包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供,所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外,可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级,这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此,可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。 | ||
搜索关键词: | 相移 空白 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种相移空白掩模,其中相移层设置在透明衬底上,其特征在于其中所述相移层包括由不同材料形成的至少两层,其中所述至少两层中的最上相移层包括至少金属、硅、氧和氮。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社S&S技术,未经株式会社S&S技术许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310163203.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种龙门大切机的前后移动装置
- 下一篇:免基础混凝土搅拌站
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备