[发明专利]相移空白掩模及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310163203.8 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN103376641A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 南基守;姜亘远;金东建;张种沅;崔珉箕 申请(专利权)人: 株式会社S&S技术
主分类号: G03F1/26 分类号: G03F1/26;G03F1/46;G03F1/56
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 韩国大邱广*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种相移空白掩模,其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此,包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供,所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外,可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级,这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此,可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。
搜索关键词: 相移 空白 及其 制造 方法
【主权项】:
一种相移空白掩模,其中相移层设置在透明衬底上,其特征在于其中所述相移层包括由不同材料形成的至少两层,其中所述至少两层中的最上相移层包括至少金属、硅、氧和氮。
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