[发明专利]晶片级‑芯片规模封装器件的钝化有效
申请号: | 201310160585.9 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN103383920B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 奥拉夫·普芬尼希斯多夫;沃尔夫冈·施尼特 | 申请(专利权)人: | 安世有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 麦善勇,张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的方案涉及一种有效的晶片级芯片规模封装以及用于生产封装的方法。多种方案涉及针对湿气、污染、机械损伤和电流泄漏进行保护,同时保持塑料封装的隔离和可制造性以及有效管芯尺寸与封装尺寸之比。 | ||
搜索关键词: | 晶片 芯片 规模 封装 器件 钝化 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:将硅晶片连接到切割箔;对所述硅晶片进行切分并由所述硅晶片得到多个自足的芯片规模器件封装,其中每一器件封装与其他器件封装通过由所述器件封装的侧壁限定的间隙而分离,每一器件封装连接到所述切割箔,并具有有源侧和非有源侧,所述侧壁在所述有源侧和所述非有源侧之间延伸;以及在所述器件封装耦接到公共箔时,同时在所有所述多个器件封装的所述侧壁上以及所述非有源侧的至少一部分上沉积电隔离涂层;其中,对所述硅晶片进行切分包括:使用等离子体去除所述硅晶片的多个部分以形成所述间隙,以及在所述侧壁和所述非有源侧上沉积电隔离涂层包括:由用来去除所述硅晶片的多个部分的相同等离子体来沉积所述涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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