[发明专利]发光芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310160171.6 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104134729B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 薛晓伟 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光芯片，包括N型半导体层、P型半导体层及位于N型半导体层及P型半导体层之间的激发层，还包括位于P‑N接面之中的补偿层，补偿层在生长过程中填补发光芯片的磊晶缺陷中的悬空键。由于补偿层的作用，发光芯片具有较高的逆向电压，从而获得较高的品质。本发明还提供一种发光芯片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光芯片，包括N型半导体层、P型半导体层及位于N型半导体层及P型半导体层之间的激发层，其特征在于：还包括补偿层，补偿层在生长过程中释放填补发光芯片的磊晶缺陷中悬空键的原子，补偿层包括未掺杂的氮化铝镓材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310160171.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：承载结构及发光装置
- 下一篇：新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件
