[发明专利]发光芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310160171.6 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104134729B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 薛晓伟 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光芯片，包括N型半导体层、P型半导体层及位于N型半导体层及P型半导体层之间的激发层，其特征在于：还包括补偿层，补偿层在生长过程中释放填补发光芯片的磊晶缺陷中悬空键的原子，补偿层包括未掺杂的氮化铝镓材料。
2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于：氮化铝镓材料的表达式为AlxGa1-xN，其中x大于0并小于1。
3.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于：补偿层中铝的含量介于1％至2％之间。
4.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于：补偿层的厚度介于15nm至25nm之间。
5.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于：补偿层的能阶高于激发层的能阶。
6.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于：补偿层位于N型半导体层与激发层之间。
7.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于：补偿层直接与激发层接触。
8.一种制造如权利要求1-7任一项所述的发光芯片的方法，包括：
提供基板；
在基板上生长N型半导体层、补偿层、激发层及P型半导体层，其中补偿层在生长过程中释放填补发光芯片磊晶缺陷中悬空键的原子，补偿层包括未掺杂的氮化铝镓材料。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：补偿层直接生长于N型半导体层上。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：在生长补偿层之前还包括对N型半导体层进行表面处理的步骤。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：对N型半导体层进行表面处理的步骤是通过TMAl气体对N型半导体层的磊晶缺陷进行键结，使TMAl气体中的铝原子瞬间填补磊晶缺陷的悬空键。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于：对N型半导体层进行表面处理的时间不超过10秒。
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