[发明专利]发光芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片，特别是指一种发光芯片。

背景技术

发光二极管作为新兴的光源，已在日常生活中起到越来越重要的作用。发光二极管的芯片通常包括一基板及生长于基板上的一P型半导体层、一N型半导体层及位于P型半导体层与N型半导体层之间的激发半导体层。然而，在基板上的生长过程中，磊晶缺陷容易形成于上述半导体层中。现有的方法并不能很好地消除这些磊晶缺陷，导致芯片内的缺陷密度仍然保持在一个较高的水平。如图1所示，这些高密度的磊晶缺陷能阶10分布于整个激发半导体层的能阶当中，因此，当对芯片施加逆向小电流的时候，电子会从P型半导体层通过缺陷能阶10穿过激发半导体层而到达N型半导体层，造成发光芯片逆向电压的降低，影响到发光芯片的品质。

发明内容

因此，有必要提供一种逆向电压较高的发光芯片及其制造方法。

一种发光芯片，包括N型半导体层、P型半导体层及位于N型半导体层及P型半导体层之间的激发层，补偿层在生长过程中释放填补发光芯片的磊晶缺陷中悬空键的原子。

一种制造发光芯片的方法，包括提供基板；在基板上生长N型半导体层、补偿层、激发层及P型半导体层，其中补偿层在生长过程中释放填补发光芯片磊晶缺陷中悬空键的原子。

由于在发光芯片内形成有补偿层，其可在生长过程中填补磊晶缺陷中悬空键的原子，从而减少甚至消除芯片的磊晶缺陷。由此，在对芯片施加逆向小电流的情况下，电子不会由缺陷能阶直接进入到N型半导体层中，从而提升芯片的逆向电压，使芯片的品质得到改善。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为现有的发光芯片的能阶示意图。

图2为本发明一实施例的发光芯片的结构示意图。

图3为图2的发光芯片的能阶示意图。

图4为本发明发光芯片与现有发光芯片的逆向电压的比较图。

主要元件符号说明

缺陷能阶10发光芯片20逆向电压曲线20a逆向电压曲线20bN型电极22P型电极24基板30凸起32缓冲层40N型半导体层50凹槽52补偿层60能障62激发层70电子阻挡层80P型半导体层90