[发明专利]半导体元件结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201310159532.5 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103972297A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 颜精一;洪楚茵;陈良湘;姚晓强;蔡武卫 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法。半导体元件结构包括栅电极、介电层、有源层、源极、漏极与保护层。有源层与栅电极位在介电层的相反侧上。源极配置在有源层上。漏极配置在有源层上。保护层配置于有源层上。保护层具有氢含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片电阻大于或等于10^10Ohm/sq。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件结构，包括：栅电极；介电层；有源层，其中该有源层与该栅电极位在该介电层的相反侧上；源极，配置于该有源层上；漏极，配置于该有源层上；以及保护层，配置于该有源层上，其中该保护层具有氢含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片电阻大于或等于10^10Ohm/sq。
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